本报首尔电 记者杨明报道：三星电子日前宣布，从本月起正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机，克服了20纳米DRAM微细化的技术限制，开创了内存存储器制造技术的新纪元。

三星电子存储芯片事业部战略营销部门负责人表示，三星电子未来将致力于研发10纳米级的新一代DRAM产品，突破半导体技术的瓶颈，持续推进存储器市场的发展。