存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，同时也是我国进口金额最大的集成电路产品。当前，虽然我国缺乏大规模存储芯片生产厂家，但全球集成电路产业增长放缓，为我国实现赶超、缩小差距提供了难得机遇。未来，随着武汉光谷国家存储器基地逐步建成，我国存储器产业的发展也将再上新台阶——

2016年年底，总投资240亿美元的国家存储器基地项目在武汉光谷开工。该项目位于武汉东湖高新区未来科技城，将建设3座3D NAND Flash FAB厂房。项目一期计划2018年建成投产；2020年完成整个项目，总产能将达到30万片／月，年产值将超过100亿美元。《经济日报》记者了解到，目前一期建设的80亿美元资金已全部到位。

紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国接受记者采访时说，国家存储器基地动工建设，标志着中国存储芯片产业规模化发展“零”的突破，这是“国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作”新模式的成功探索。未来，这里将建起“航母级芯片工厂”。

中国玩家来了

据介绍，国家存储器基地项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设，总占地面积1968亩。以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节发展。

存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，同时也是我国进口金额最大的集成电路产品。随着大数据、云计算产业发展，存储芯片在整个芯片市场占比超过25%，未来5年内将达到45%左右。赛迪智库半导体所所长霍雨涛认为，当前全球集成电路产业增长放缓，为我国实现赶超、缩小差距提供了难得机遇。

“此前，我国没有大规模存储芯片生产厂家。”赵伟国介绍，由于技术难度高、投资总量大，目前全球仅有三星、东芝、美光、海力士四大“玩家”能生产主流存储器。要赢得存储芯片制造的竞争，就必须建起“航母级”芯片工厂。“核心生产厂房和设备每平方米投资强度超过3万美元，相当于每平方米面积的核心厂房，都是用300张一百美元面值的钞票堆出来的”。赵伟国如此形容项目投资金额之巨大。

追“芯”10年路

长江存储的起点不低，投产后将生产3D NAND闪存。这种将过去平面闪存作立体堆叠的三维闪存，存储芯片相当于实现了从“平房”到“楼房”的跨越。目前，三星的V-NAND闪存，堆栈层数从24层提高到48层。

长江存储能否赶上国际巨头？赵伟国信心十足。他说，长江存储是在武汉新芯的基础上建立的。两年前，武汉新芯就开始对3D NAND闪存展开研发，这个领域正是中国存储芯片制造业弯道超车的机会。

2006年，湖北省、武汉市和东湖高新区投资107亿元建设了武汉新芯12英寸晶圆制造项目，投资额占当年湖北省国有经济投资总额的近十分之一。经过10多年积累，以武汉新芯为龙头，集聚了芯片设计、制造、封装材料等相关企业近50家，包括武汉高德红外、海思光电子、烽火通信、中船（武汉）微电子等企业，总产值达到50亿元。

“追‘芯’10年，武汉成为国家重点支持的集成电路四大产业集聚区之一。”武汉东湖开发区管委会一位负责人说。

日前公布的《促进中部地区崛起“十三五”规划》明确指出“支持武汉、合肥建设存储器产业基地”。目前，湖北省和武汉市举全省、全市之力，将这一项目打造成转型跨越发展的千亿高科技产业项目。武汉东湖高新区加快引进芯片设计、封装测试等环节的重点企业，积极打造集成电路产业生态体系，并组建武汉国际微电子学院、集成电路工业研究院、国家IP交易中心，努力打造世界级的集成电路产业创新中心。

后发有优势

华中科技大学超大规模集成电路与系统研究中心主任邹雪城说，中国集成电路产业布局如同一只向东飞行的展翅大雁：雁头是上海、长三角地区，左翼向北，通过环渤海，向西安，右翼向南，通过福州、厦门到深圳；武汉，处在大雁身体的正中。

“中国产业发展具有后发优势。”赵伟国拿紫光集团旗下的展讯通信举例说，十几年前，中国没有设计、生产手机芯片的能力，但现在展讯已排名全球第三，前两位是国际巨头高通和联发科。

清华大学微电子学研究所所长魏少军表示，存储器产业讲求规模，长江存储的建立对于做大做强中国存储器产业开了一个好头，有效解决了国家存储器产业发展存在的隐患；在长江存储启动投资后3年左右时间，“将是投资人和管理团队最困难的时候”。只有迈过这个坎，长江存储才能成为中国存储器产业领军企业。

赵伟国对中国存储器产业前景十分看好，他的信心来自三个方面：首先是中国庞大的本土市场；其次是本土人才；第三是资本。“武汉有产业基础，经济实力雄厚，政府对集成电路产业的理解也非常深刻。”他认为，中国在一些领域已经基本具备了迈入国际前列的能力。根据存储器基地建设进度，产能将进入世界前五乃至前二，与韩国三星旗鼓相当，赶超时间预计为5年至15年。