本报讯 我国自主研发的高压大功率3300V/50A IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块日前通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。

IGBT作为新一代功率半导体器件，被广泛应用在轨道交通装备、电力系统、工业变频、风电、太阳能、电动汽车和家电产业中。采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和用电质量，节能30%以上。由中国北车设计开发的3300V/50A IGBT芯片，是国内首件自主设计制造的高压IGBT芯片，迈开了国产IGBT功率“芯脏”替代进口的步伐。这一成果也标志着中国北车在高端IGBT领域形成了设计制造、模块封装完整的产业链。